奇码数字信息有限公司笔试题

    1 ．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V 曲线）

    2 ．2.2um 工艺下，Kn＝3Kp ，设计一个反相器，说出器件尺寸。

    3 ．说出制作N-well的工艺流程。

    4 ．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

    5 ．用CMOS画一个D 触发器（clk ，d ，q ，q-）。
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